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    	          物競編號
    	          0PYA

    	        
          
    	        
          
    	          分子式
    	          lnP
    	        
          
    	        
          
    	          分子量
    	          145.79
    	        
          
			    
          
    	          標簽
    	          
                      
                        Indium phosphide,
                      
                        Indium(III) Phosphide,
                      
                        Indium monophosphide,
                      
                        半導體材料
                      
                  
    	        
          
    	                
    	    
          
    	
          
    
          
    
          
        
    
          
    
          
    	
          編號系統(tǒng)
          
    	
          CAS號：22398-80-7
          
        
          MDL號：MFCD00016153
          
        
          EINECS號：244-959-5
          
        
          RTECS號：NL1800000
          
        
          BRN號：暫無
          
        
          PubChem號：24862718
          

    	
          物性數(shù)據(jù)
          
    	
          
    		
          1. 性狀：單晶呈銀灰色，質(zhì)地較軟
          2. 密度（g/mL,25/4℃）：未確定
          3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
          4. 熔點（oC）：1600
          5. 沸點（oC,常壓）：未確定
          6. 沸點（oC,5.2kPa）： 未確定
          7. 折射率： 未確定
          8. 閃點（oC）： 未確定
          9. 比旋光度（o）： 未確定
          10. 自燃點或引燃溫度（oC）： 未確定
          11. 蒸氣壓（kPa,25oC）： 未確定
          12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）： 未確定
          13. 燃燒熱（KJ/mol）：未確定
          14. 臨界溫度（oC）： 未確定
          15. 臨界壓力（KPa）： 未確定
          16. 油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對數(shù)值： 未確定
          17. 爆炸上限（%,V/V）：未確定
          18. 爆炸下限（%,V/V）： 未確定
          19. 溶解性：極微溶于無機酸

          
    	
          
    	
          毒理學數(shù)據(jù)
          
    	
          
    		暫無
    	
          
    	
          生態(tài)學數(shù)據(jù)
          
    	
          
    		對水是稍微危害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環(huán)境
    	
          
    	
          分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)
          
    	
          
    		暫無
    	
          
    	
          計算化學數(shù)據(jù)
          
    	
          
    		
          1.疏水參數(shù)計算參考值（XlogP）:無
          2.氫鍵供體數(shù)量:0
          3.氫鍵受體數(shù)量:0
          4.可旋轉(zhuǎn)化學鍵數(shù)量:0
          5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無
          6.拓撲分子極性表面積0
          7.重原子數(shù)量:2
          8.表面電荷:0
          9.復雜度:10
          10.同位素原子數(shù)量:0
          11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
          12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
          13.確定化學鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
          14.不確定化學鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
          15.共價鍵單元數(shù)量:1
          
    	
          
    	
          性質(zhì)與穩(wěn)定性
          
    	
          
    		
          1.如果遵照規(guī)格使用和儲存則不會分解
          避免接觸氧化物，酸。極微溶于無機酸。介電常數(shù)：108。電子遷移率：約4600　cm2/V·s?？昭ㄟw移率：約150　cm2/V·s。具有半導體的特性。
          2.它有較高的極限速度，所以，ＩｎＰ高頻器件的工作極限頻率比ＧａＡｓ更高，電子擴散速率與電子遷移率之比小于ＧａＡｓ，故更利于制作低噪聲器件。
          
    	
          
    	
          貯存方法
          
    	
          
    		
          保持貯藏器密封
          放入緊密的貯藏器內(nèi)，儲存在陰涼，干燥的地方
          
    	
          
    	
          合成方法
          
    	
          
    		
          用高壓單晶爐制備磷化銦單晶是最主要的方法，并用摻等電子雜質(zhì)的方法降低晶體的位錯密度。而氣相外延，多采用In-PCl3-H2系統(tǒng)的歧化法，在該工藝中用銦(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之間的反應(yīng)來生長磷化銦層。
          氣相外延將石英反應(yīng)管放在雙溫區(qū)電爐中，已凈化的高純氫氣經(jīng)計量通入，氫氣也用來稀釋三氯化磷，此時彭泡器保持在0℃，通過反應(yīng)管內(nèi)的氫氣線速度為14 cm/min。外延生長分為誘個階段進行。
          在第一階段，將盛有銦的石英舟放在電爐中源區(qū)，通入氫氣并加熱到700～850℃，再用氫氣將三氯化磷引入，在銦源上方被還原成磷蒸氣和氯化氫。鎘化氫與銦反應(yīng)生成一氯化銦蒸氣在管中遷移。磷溶解在銦中直至飽和為止。
          在第二階段，銦源保持在原位置不加熱，單晶襯底放在電爐的第二加溫區(qū)后，在氫氣氛下加熱到600～750℃。首先用氫氣將三氯化磷引入到管內(nèi)對襯底進行氣相腐蝕，清洗襯底表面。再將氫氣直接引入反應(yīng)管，并把源加熱到它的過飽和溫度(在操作中此溫度比襯底晶體的溫度高100℃)。然后通過氫氣鼓泡將三氯化磷引入，這時磷蒸氣與在源區(qū)生成的一氯化銦反應(yīng)，在襯底上淀積生長出磷化銦層。當外延生長完成后，向系統(tǒng)中通入純氫氣，將兩個溫區(qū)冷卻到室溫，取出產(chǎn)物，制得磷化銦成品。
          2.取化學計量的銦和紅磷封入石英管中，反應(yīng)溫度在700℃經(jīng)350～400h，可制得InP,收率為94%～95%。
          3.用銦和比化學計算量略多的Zn3P2按合成AlP相同的方法，在700～800℃下加熱1～2日則可制得磷化銦。本法收率低。產(chǎn)物用稀鹽酸處理就可以得到純的InP。
          4.由鹵素反應(yīng)系統(tǒng)制取的方法。在高真空中，加熱650℃以上，使InP升華。欲制得純的InP，要使用過量的In。
          
    	
          
    	
          用途
          
    	
          
    		
          用作半導體材料，用于光纖通訊技術(shù)，需要1.1～1.6-μm范圍內(nèi)的光源和接受器。在InP襯底上生長InGaAsP雙異質(zhì)結(jié)激光器既能滿足晶格匹配，又能滿足波長范圍的要求。
          
    	
          
    	
          安全信息
          
    	
          危險運輸編碼：UN3288
          
    	
          危險品標志：暫無
          
    	
          安全標識：S24/25 
          
    	
          危險標識：暫無
          
        
          文獻
          
        
          
            暫無
        
          
        
          備注
          
        
          
            暫無
        
          
    	
          表征圖譜