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    	          物競編號
    	          0LBL

    	        
          
    	        
          
    	          分子式
    	          GaP
    	        
          
    	        
          
    	          分子量
    	          100.69
    	        
          
			    
          
    	          標簽
    	          
                      
                        半導體材料
                      
                  
    	        
          
    	                
    	    
          
    	
          
    
          
    
          
        
    
          
    
          
    	
          編號系統
          
    	
          CAS號：12063-98-8
          
        
          MDL號：MFCD00016109
          
        
          EINECS號：235-057-2
          
        
          RTECS號：LW9675000
          
        
          BRN號：暫無
          
        
          PubChem號：24874213
          

    	
          物性數據
          
    	
          
    		
          1.       性狀：黃色到黃綠色的立方結晶。
          2.       密度（g/mL,25℃）：4.13
          3.       相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
          4.       熔點（oC）：1465
          5.       沸點（oC,常壓）：未確定
          6.       沸點（oC，1mmHg）：未確定
          7.       折射率：未確定
          8.       閃點（oC）：110
          9.       比旋光度（o）：未確定
          10.    自燃點或引燃溫度（oC）：未確定
          11.    蒸氣壓（20oC）：未確定
          12.    飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定
          13.    燃燒熱（KJ/mol）：未確定
          14.    臨界溫度（oC）：未確定
          15.    臨界壓力（KPa）：未確定
          16.    油水（辛醇/水）分配系數的對數值：未確定
          17.    爆炸上限（%,V/V）：未確定
          18.    爆炸下限（%,V/V）：未確定
          19.    溶解性：難溶于稀、濃鹽酸、硝酸。
          
    	
          
    	
          毒理學數據
          
    	
          
    		
          1.        急性毒性：小鼠口服LD50：8gm/kg
          主要的刺激性影響：
          在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜
          在眼睛上面：刺激的影響
          致敏作用：沒有已知的敏化現象
          
    	
          
    	
          生態學數據
          
    	
          
    		
          通常對水是不危害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環境.
          
    	
          
    	
          分子結構數據
          
    	
          
    		暫無
    	
          
    	
          計算化學數據
          
    	
          
    		
          1.疏水參數計算參考值（XlogP）:無
          2.氫鍵供體數量:0
          3.氫鍵受體數量:0
          4.可旋轉化學鍵數量:0
          5.互變異構體數量:無
          6.拓撲分子極性表面積0
          7.重原子數量:2
          8.表面電荷:0
          9.復雜度:10
          10.同位素原子數量:0
          11.確定原子立構中心數量:0
          12.不確定原子立構中心數量:0
          13.確定化學鍵立構中心數量:0
          14.不確定化學鍵立構中心數量:0
          15.共價鍵單元數量:1
          
    	
          
    	
          性質與穩定性
          
    	
          
    		
          常溫常壓下穩定。難溶于稀、濃鹽酸、硝酸。是半導體。防止包裝容器破裂。失火時，可用水、砂土、各種滅火器進行撲救。
          本品屬微毒
          
    	
          
    	
          貯存方法
          
    	
          
    		應貯存在陰涼、通風、干燥、清潔庫房內，容器必須密封
    	
          
    	
          合成方法
          
    	
          
    		
           目前主要用高壓單晶爐液體密封技術和外延方法制備磷化鎵晶體。
          圖XIII-19 用溶質擴散法制造GaP的裝置與溫度分布
          液體密封直拉法
          采用高壓單晶爐，將多晶磷化鎵加入單晶爐的合金石英坩堝中，再經抽真空、熔化，在充以5.5 Mpa氬氣壓下，用三氧化二硼液封拉晶。因磷化鎵分解壓力很大，在典型生長條件下，有一定量的磷溢出并與三氧化二硼作用，使三氧化二硼透明性變差，并有部分冷凝在觀察孔上妨礙觀察，為此可用X射線掃描及稱量法等來控制晶體直徑，制得磷化鎵單晶成品。
          合成溶質擴散法(SSD法)
          將鎵放入石英坩堝中，鎵源溫度在1100～1150℃之間，坩堝底部放磷化鎵籽晶處溫度為1000～1050℃，磷源溫度為420℃，這時產生約0.1 Mpa磷蒸氣壓，在1150℃磷化鎵的離解壓為0.67Pa，所以在0.1 Mpa磷蒸氣壓下，磷化鎵可以穩定生長。開始時，磷蒸氣與處在高溫的鎵表面反應生成磷化鎵膜。此磷化鎵溶于下面的鎵液中并向坩堝底部擴散，由于坩堝底部溫度較低，當磷化鎵超過溶解度時，就會析出晶體，如磷源足夠，最后會將鎵液全部變成磷化鎵晶體。
          磷化鎵外延生長
          用上述方法制備的單晶主要用來作襯底。用液、氣相外延方法能用來制備薄膜單晶。
          磷化鎵液相外延方法主要有浸漬法、轉動法和滑動舟法。目前采用較多的是滑動舟法。氣相外延主要有：Ga-PCI3-H2；GaHCl-PH3-H2；GaP-H2O(HCl)-H2系統和MOCVD法(金屬有機熱分解氣相生長法)。
          最近采用InP與InP；aAsP多層結構半導體開發了具有光增幅、光演算、光記憶等功能的元件。
          2.按圖所示，將鎵和磷在真空中封入管圖用溶質擴散法制造GaP的裝置與溫度分布內，在鎵上形成溫度梯度。鎵的上面溫度TH為1065～1330℃，溫度梯度為7～46K/cm。坩堝底部溫度(TL)低于TH，當磷蒸氣壓為101.325kPa時，加熱數日，則GaP在Ga中擴散，于器底析出，全部為結晶塊。這時，GaP的成長速度1日為0.8～7.0mm。上述是封閉管法，在連續操作系統中，也有類似的制塊方法。
          3.用氬氣流向保持在1150～1350℃的鎵上輸送氣態磷，或用氫氣流向保持在1130℃的氮化硼盤或石英盤中的鎵上輸送磷化氫都可以制得GaP。而后面的反應系統(1130℃)，由于可以高精度地除去各種雜質，所以可得到高純度的GaP。
          4.用氫氣向保持在1000℃的Ga2O3上輸送磷蒸氣，可制得產率接近100%的GaP。
          5.將GaPO4在750～1050℃用氫或一氧化碳還原制取。
          
    	
          
    	
          用途
          
    	
          
    		   用于太陽能電池轉換率高的InGaAsP/InP等半導體中。發光二極管大量用于控制燈、顯示儀表或面發光元件等，發光二極管所用磷化物半導體有GaP、GaAsP等。紅色發光二極管使用GaP或GaAsP等。黃、橙色發光二極管以GaAsP為主體。
    	
          
    	
          安全信息
          
    	
          危險運輸編碼：暫無
          
    	
          危險品標志：刺激 
          
    	
          安全標識：S26 
          
    	
          危險標識：R36/37 
          
        
          文獻
          
        
          
            暫無
        
          
        
          備注
          
        
          
            暫無
        
          
    	
          表征圖譜