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    	          物競編號
    	          0LBM

    	        
          
    	        
          
    	          分子式
    	          GaSb
    	        
          
    	        
          
    	          分子量
    	          191.48
    	        
          
			    
          
    	          標簽
    	          
                      
                        半導體材料
                      
                  
    	        
          
    	                
    	    
          
    	
          
    
          
    
          
        
    
          
    
          
    	
          編號系統
          
    	
          CAS號：12064-03-8
          
        
          MDL號：MFCD00016101
          
        
          EINECS號：235-058-8
          
        
          RTECS號：暫無
          
        
          BRN號：暫無
          
        
          PubChem號：24883831
          

    	
          物性數據
          
    	
          
    		
          1.       性狀：類似鍺的化合物型半導體，灰白色，立方晶系閃鋅礦型結晶。
          2.       密度（g/mL,25℃）：5.61
          3.       相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
          4.       熔點（oC）：706
          5.       沸點（oC,常壓）：未確定
          6.       沸點（oC，1mmHg）：未確定
          7.       折射率：未確定
          8.       閃點（oC）：未確定
          9.       比旋光度（o）：未確定
          10.    自燃點或引燃溫度（oC）：未確定
          11.    蒸氣壓（20oC）：未確定
          12.    飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定
          13.    燃燒熱（KJ/mol）：未確定
          14.    臨界溫度（oC）：未確定
          15.    臨界壓力（KPa）：未確定
          16.    油水（辛醇/水）分配系數的對數值：未確定
          17.    爆炸上限（%,V/V）：未確定
          18.    爆炸下限（%,V/V）：未確定
          19.    溶解性：不溶于水
          
    	
          
    	
          毒理學數據
          
    	
          
    		
          主要的刺激性影響：
          在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜
          在眼睛上面：刺激的影響
          致敏作用：沒有已知的敏化現象
          
    	
          
    	
          生態學數據
          
    	
          
    		
          通常對水體是極其有害的，即使小量產品也不能接觸地下水，水道或污水系統
          
    	
          
    	
          分子結構數據
          
    	
          
    		暫無
    	
          
    	
          計算化學數據
          
    	
          
    		
          1.疏水參數計算參考值（XlogP）:無
          2.氫鍵供體數量:0
          3.氫鍵受體數量:0
          4.可旋轉化學鍵數量:0
          5.互變異構體數量:無
          6.拓撲分子極性表面積0
          7.重原子數量:2
          8.表面電荷:0
          9.復雜度:10
          10.同位素原子數量:0
          11.確定原子立構中心數量:0
          12.不確定原子立構中心數量:0
          13.確定化學鍵立構中心數量:0
          14.不確定化學鍵立構中心數量:0
          15.共價鍵單元數量:1
          
    	
          
    	
          性質與穩定性
          
    	
          
    		
          常溫常壓下穩定
          避免的物料 氧化物 酸 堿
          銻化鎵單晶的重要特征是無論用什么方法制備，室溫下最高純度的銻化鎵單晶總是Ｐ型，其機理尚不完全清楚，一種主要觀點認為是由過剩Ｓｂ空位造成的。它的價帶自旋軌道的分裂可以得到空穴離化系數增大的能級，可改善長波長雪崩光電探測器（ＡＰＤ）的信噪比。由于ＧａＳｂ單晶的臨界屈服應力較大（１５．８Ｎ／ｍｍ２），故其位錯密度不高（不超過１０３數量級），適于制作ＧａＩｎＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ激光器、ＧａＩｎＡｓＳｂ探測器和ＧａＡｓ／ＧａＳｂ疊層太陽電池（轉換效率超過３０％）。
          
    	
          
    	
          貯存方法
          
    	
          
    		常溫密閉，陰涼通風干燥
    	
          
    	
          合成方法
          
    	
          
    		
          把20g鎵、34.94g銻放進石墨盤中，裝入石英管內，并用氫氣流充分置換掉空氣之后，然后在氫氣流中加熱石英管至720～730℃使其化合。
          為了制得GaSb單晶，可以從石英管中慢慢取出，使熔融狀態的GaSb從盤的一端開始固化形成結晶。如欲制成半導體用GaSb時，所用原料盤及石英管均應是高純度的制品，必要時可進行區域熔融提純。
    	
          
    	
          用途
          
    	
          
    		用于制造激光器，探測器，高頻器件，太陽電池。
          
    	
          
    	
          安全信息
          
    	
          危險運輸編碼：UN 1549 6.1/PG 3
          
    	
          危險品標志：有害 危害環境 
          
    	
          安全標識：S61 
          
    	
          危險標識：R20/22 R51/53 
          
        
          文獻
          
        
          
            暫無
        
          
        
          備注
          
        
          
            暫無
        
          
    	
          表征圖譜