結(jié)構(gòu)式
| 物競編號 | 0L7L |
|---|---|
| 分子式 | Ga2O3 |
| 分子量 | 187.44 |
| 標(biāo)簽 | 三氧化二鎵, Gallium(III) trioxide, Digallium trioxide, 高純度化合物 |
CAS號:12024-21-4
MDL號:MFCD00011020
EINECS號:234-691-7
RTECS號:LW9650000
BRN號:暫無
PubChem號:24846434
1. 性狀:α-Ga2O3為六方晶型,β-Ga2O3屬于單斜晶型。
2. 密度(g/mL,25℃):未確定
3. 相對蒸汽密度(g/mL,空氣=1):未確定
4. 熔點(diǎn)(oC):1740
5. 沸點(diǎn)(oC,常壓):未確定
6. 沸點(diǎn)(oC,1mmHg):未確定
7. 折射率:未確定
8. 閃點(diǎn)(oC):未確定
9. 比旋光度(o):未確定
10. 自燃點(diǎn)或引燃溫度(oC):未確定
11. 蒸氣壓(20oC):未確定
12. 飽和蒸氣壓(kPa,60oC):未確定
13. 燃燒熱(KJ/mol):未確定
14. 臨界溫度(oC):未確定
15. 臨界壓力(KPa):未確定
16. 油水(辛醇/水)分配系數(shù)的對數(shù)值:未確定
17. 爆炸上限(%,V/V):未確定
18. 爆炸下限(%,V/V):未確定
19. 溶解性:不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。
通常對水體是稍微有害的,不要將未稀釋或大量產(chǎn)品接觸地下水,水道或污水系統(tǒng),未經(jīng)政府許可勿將材料排入周圍環(huán)境。
暫無
1.疏水參數(shù)計(jì)算參考值(XlogP):無
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:3
4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0
5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無
6.拓?fù)浞肿訕O性表面積43.4
7.重原子數(shù)量:5
8.表面電荷:0
9.復(fù)雜度:34.2
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
15.共價(jià)鍵單元數(shù)量:1
常溫常壓下穩(wěn)定
避免光,明火,高溫
是極難揮發(fā)的氧化物。另外,由于灼燒強(qiáng)度不同,對酸的溶解度也有差別,在低溫灼燒的產(chǎn)品雖然可溶解于酸、堿,但高溫灼燒的產(chǎn)品就是不溶的。有機(jī)鎵化合物的熱分解雖然也可生成三氧化二鎵,但必須注意未燃燒碳的還原作用,不要生成揮發(fā)性低級氧化物Ga2O,和濾紙一起灼燒時(shí),也同樣要注意。
貯存于陰涼、干燥的庫房內(nèi)
1.向三氯化鎵GaCl3的熱水溶液中加NaHCO3的高濃熱水溶液,煮沸到鎵的氫氧化物全部沉淀出來為止。用熱水洗滌沉淀至沒有Cl-為止,在600℃以上煅燒則得到β-Ga2O3。殘留NH4Cl時(shí),在250℃就和Ga2O3反應(yīng),生成揮發(fā)性GaCl3。
2.這是高純Ga2O3的制法。以高純金屬Ga為陽極,溶解于5%~20%H2SO4溶液里,向溶液加氨水,冷卻,將Ga(NH4)(SO4)2反復(fù)結(jié)晶,在105℃干燥,在過量氧的條件下在800℃灼燒2h,則得到純度為9999%~99.9999%的產(chǎn)品。
3.稱取1kg99.9999%的高純鎵放入三頸燒瓶中,加入高純硝酸,使鎵全部溶解,然后過濾,濾液倒入三頸燒瓶中,移至電爐上蒸發(fā)(在通風(fēng)櫥中進(jìn)行),濃縮到接近結(jié)晶時(shí),將溶液移置于大號蒸發(fā)皿中蒸發(fā)至干。將蒸干的Ga(NO3)3放在馬弗爐中進(jìn)行灼燒,溫度控制在550℃,灼燒5h,待冷卻后取出成品,得1.2kg高純氧化鎵。
用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導(dǎo)體材料制備。
用作高純分析試劑、半導(dǎo)體材料。
危險(xiǎn)運(yùn)輸編碼:暫無
危險(xiǎn)品標(biāo)志:暫無
安全標(biāo)識:S24/25
危險(xiǎn)標(biāo)識:暫無
暫無
暫無
共收錄化學(xué)品數(shù)據(jù)
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