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          物競編號 0L7N
          分子式 Gd3Ga5O12
          分子量 1012.36
          標簽 氧化釔鎵, Gadolinium gallium oxide

          編號系統

          CAS號:12024-36-1

          MDL號:MFCD00011027

          EINECS號:234-695-9

          RTECS號:暫無

          BRN號:暫無

          PubChem號:234-695-9

          物性數據

          1.       性狀:無色透明,等軸晶系

          2.       密度(g/mL,25℃):7.05

          3.       相對蒸汽密度(g/mL,空氣=1):未確定

          4.       熔點(oC):未確定

          5.       沸點(oC,常壓):未確定

          6.       沸點(oC,1mmHg):未確定

          7.       折射率:2.03

          8.       閃點(oC):未確定

          9.       比旋光度(o):未確定

          10.    自燃點或引燃溫度(oC):未確定

          11.    蒸氣壓(20oC):未確定

          12.    飽和蒸氣壓(kPa,60oC):未確定

          13.    燃燒熱(KJ/mol):未確定

          14.    臨界溫度(oC):未確定

          15.    臨界壓力(KPa):未確定

          16.    油水(辛醇/水)分配系數的對數值:未確定

          17.    爆炸上限(%,V/V):未確定

          18.    爆炸下限(%,V/V):未確定

          19.    溶解性:未確定

          毒理學數據

          暫無

          生態學數據

          暫無

          分子結構數據

          暫無

          計算化學數據

          1.疏水參數計算參考值(XlogP):無

          2.氫鍵供體數量:0

          3.氫鍵受體數量:3

          4.可旋轉化學鍵數量:0

          5.互變異構體數量:無

          6.拓撲分子極性表面積3

          7.重原子數量:5

          8.表面電荷:0

          9.復雜度:0

          10.同位素原子數量:0

          11.確定原子立構中心數量:0

          12.不確定原子立構中心數量:0

          13.確定化學鍵立構中心數量:0

          14.不確定化學鍵立構中心數量:0

          15.共價鍵單元數量:5

          性質與穩定性

          硬度6.5,相對密度7.05。折射率2.030,色散0.038。釓鎵石榴石晶體,分子式為Gd3Ga5O12,簡稱GGG,屬于石榴石型結構,空間群為Ia3d,晶格常數a=123832±0.00001nm,熱膨脹系數a=9.03×10-6/℃,分別與YIG薄膜的晶格常數與熱膨脹系數(a=1.2376nm,a=10.35×10-6/℃)相匹配,被認為是YIG薄膜的理想外延基底材料。

          貯存方法

          暫無

          合成方法

          在提拉法生長GGG單晶過程中,通常是將一定量的Gd2O3(純度高于4N)與Ga2O3(純度高于5N)原料,按摩爾比為3∶5進行稱量,經充分混合、模壓和高溫煅燒(1000℃,10h)后,裝入銥金坩堝內。利用中頻感應加熱熔融,待原料全部熔化后開始引晶生長。

          由于組分Ga2O3具有較強的氧化性,并且該物質在不同的溫度下具有不同的分解壓力,所以它在感應加熱熔融過程中容易發生還原揮發生成亞鎵氧化物和氧氣。抑制Ga2O3組分揮發的方法有:(1)改變初始原料中Gd2O3與Ga2O3組分的配比,通常是在原料中加入過量的Ga2O3。多數情況是在初始原料中加入過量1%~4%(質量分數)的Ga2O3組分,在中性氣氛條件下進行晶體的生長。(2)調整GGG單晶的生長氣氛。在保護氣氛中添加一定的氧分壓,將能有效地抑制Ga2O3的揮發分解,同時也將大大減少晶體中的位錯密度和包裹物的密度,符合襯底單晶的要求。通常是在N2中加入2%的O2作為晶體生長的氣氛。另外,根據GGG晶體生長系統中的熱力學分析和計算表明,利用[CO250%(體積分數)+N2 50%(體積分數)]作為生長氣氛,同樣也可以得到理想的效果,更重要的是銥金坩堝的氧化也能得到有效的抑制。(3)利用GGG的多晶原料進行晶體的生長。因為通常GGG晶體生長時所用的初始原料中含有大量未發生固相反應的組分Ga2O3,這是組分揮發分解的直接原因。如果加入銥金坩堝中的初始原料被GGG多晶原料所取代,并且再在晶體生長氣氛中通入一定的氧分壓,組分Ga2O3的揮發分解將得到有效的抑制。同時獲得的GGG晶體質量比利用混合的初始料所生長的晶體的質量有明顯的改善和提高。

          用途

          暫無

          安全信息

          危險運輸編碼:暫無

          危險品標志:暫無

          安全標識:暫無

          危險標識:暫無

          文獻

          暫無

          備注

          暫無

          表征圖譜