結構式
| 物競編號 | 0017 |
|---|---|
| 分子式 | Ge |
| 分子量 | 72.61 |
| 標簽 | 金屬鍺, 純元素, 半導體材料 |
CAS號:7440-56-4
MDL號:MFCD00085310
EINECS號:231-164-3
RTECS號:LY5200000
BRN號:暫無
PubChem號:24855958
1. 性狀:銀白色有光澤金屬,質脆,晶體鍺具有金剛石結構。
2. 密度(g/mL,20℃):5.35
3. 相對蒸汽密度(g/mL,空氣=1):未確定
4. 熔點(oC):937.4
5. 沸點(oC,常壓):2830
6. 沸點(oC,5.2kPa):未確定
7. 折射率:未確定
8. 閃點(oC):未確定
9. 比旋光度(o):未確定
10. 自燃點或引燃溫度(oC):未確定
11. 蒸氣壓(mmHg, oC):未確定
12. 飽和蒸氣壓(kPa,2080oC):13.3
13. 燃燒熱(KJ/mol):未確定
14. 臨界溫度(oC):未確定
15. 臨界壓力(KPa):未確定
16. 油水(辛醇/水)分配系數(shù)的對數(shù)值:未確定
17. 爆炸上限(%,V/V):未確定
18. 爆炸下限(%,V/V):未確定
19. 溶解性:不溶于水和鹽酸及稀硫酸。能溶于濃硝酸、濃硫酸或王水。不溶于稀苛性堿溶液;可溶于熔融的苛性堿、硝酸鹽或碳酸鹽,生成鍺酸鹽。
通常對水無危害。
1.疏水參數(shù)計算參考值(XlogP):無
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:0
4.可旋轉化學鍵數(shù)量:0
5.互變異構體數(shù)量:無
6.拓撲分子極性表面積0
7.重原子數(shù)量:1
8.表面電荷:0
9.復雜度:0
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構中心數(shù)量:0
13.確定化學鍵立構中心數(shù)量:0
14.不確定化學鍵立構中心數(shù)量:0
15.共價鍵單元數(shù)量:1
在空氣中不被氧化。其細粉可在氯或溴中燃燒。鍺化學性質穩(wěn)定,常溫下不與空氣或水蒸氣作用。由于鍺與碳不起作用,通常使其在石墨坩堝中熔化。具有良好的半導體性質。不溶于水,可溶于濃硫酸、硝酸、王水中。用作半導體材料。
大鼠吸入LCLo3860mg/(m3·4h)。能刺激皮膚、黏膜和眼睛,空氣中最大容許濃度(以Ge計)為1mg/m3。生產人員應穿工作服,戴口罩和乳膠手套等勞保用品。
應貯存在陰涼、通風、干燥、清潔、無化學藥品腐蝕氣氛的庫房內。防潮。不可與酸、堿類產品共貯混運。在運輸過程中要防雨淋、防震。裝卸時要小心輕放,防止碰撞和滾動,防止機械損傷。
1.工業(yè)生產有坩堝直拉法和懸浮區(qū)熔法。坩堝直拉法 拉晶前先將設備各部件、合金石英坩堝、高純鍺和籽晶進行清潔處理。將高純鍺經配料和摻雜,加入單晶爐的合金石英坩堝中,再經抽真空、熔化,在流通的氬氣氣氛下,人工引晶放肩和收尾。晶體的等徑生長過程中,需根據(jù)情況適當調節(jié)功率,使其獲得直徑均勻的產品。經檢測、稱量,制得鍺單晶成品。
可由二氧化鍺用碳還原,再經冶煉制得。
2.將二氧化鍺粉末裝滿石英盤,放于石英制反應管中。將反應管放入長度為石英盤的2~2.5倍的管式電爐的中心部位進行加熱,送入精制氫氣,升溫至600℃±5℃。對100g的GeO2以2~2.5mL/min的速度通入氫氣,經3~4h即可還原完畢。再升溫至1000℃±10℃,經約30min,使細粉狀的Ge熔融,然后將電爐以6mm/min的速度向氫出口方向移動。在石英盤內,鍺從一端開始凝固,由于分凝離析效應,雜質在另一端被濃縮。
1.高純度的鍺是半導體材料,制造半導體器件用。摻有微量特定雜質的鍺單晶,可用于制各種晶體管、整流器及其他器件。高純鍺單晶具有高的折射系數(shù),對紅外線透明,不透過可見光和紅外線,可作專透紅外光的棱鏡或透鏡。鍺化合物用于制造熒光板及各種高折光率的玻璃。還用于輻射探測器及熱電材料。
2.制造半導體器件用。
危險運輸編碼:暫無
危險品標志:暫無
安全標識:暫無
危險標識:暫無
暫無
暫無
共收錄化學品數(shù)據(jù)
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