結(jié)構(gòu)式
| 物競編號 | 0L74 |
|---|---|
| 分子式 | CrSi2 |
| 分子量 | 108.17 |
| 標(biāo)簽 | 二硅化鉻, 精細(xì)陶瓷 |
CAS號:12018-09-6
MDL號:MFCD00168070
EINECS號:234-633-0
RTECS號:暫無
BRN號:暫無
PubChem號:暫無
1. 性狀:灰色立方晶體,六方晶系。
2. 密度(g/mL,25/4℃):5.5
3. 相對蒸汽密度(g/mL,空氣=1):無可用
4. 熔點(diǎn)(oC):1475
5. 沸點(diǎn)(oC,常壓):無可用
6. 沸點(diǎn)(oC,5.2kPa): 無可用
7. 折射率: 無可用
8. 閃點(diǎn)(oC): 無可用
9. 比旋光度(o):無可用
10. 自燃點(diǎn)或引燃溫度(oC):無可用
11. 蒸氣壓(kPa,25oC):無可用
12. 飽和蒸氣壓(kPa,60oC):無可用
13. 燃燒熱(KJ/mol):無可用
14. 臨界溫度(oC):無可用
15. 臨界壓力(KPa):無可用
16. 油水(辛醇/水)分配系數(shù)的對數(shù)值:無可用
17. 爆炸上限(%,V/V):無可用
18. 爆炸下限(%,V/V): 無可用
19. 溶解性:不溶于水,溶于鹽酸、氫氟酸。
暫無
通常對水是不危害的,若無政府許可,勿將材料排入周圍環(huán)境。
1、摩爾折射率:無可用
2、 摩爾體積(cm3/mol): 無可用
3、 等張比容(90.2K):無可用
4、 表面張力(dyne/cm):無可用
1、 疏水參數(shù)計(jì)算參考值(XlogP):無可用
2、 氫鍵供體數(shù)量:0
3、 氫鍵受體數(shù)量:2
4、 可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0
5、 拓?fù)浞肿訕O性表面積(TPSA):0
6、 重原子數(shù)量:3
7、 表面電荷:0
8、 復(fù)雜度:8
9、 同位素原子數(shù)量:0
10、 確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
11、 不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
12、 確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
13、 不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
14、 共價鍵單元數(shù)量:2
遵照規(guī)格使用和儲存則不會分解。
硅化鉻薄膜電阻率高,電阻溫度系數(shù)小。灰色立方晶體,六方晶系,a=04422nm,c=06351nm,熔點(diǎn)接近于1550℃,晶體內(nèi)的鍵連形式類似于Cr3Si,有金屬光澤,不溶于鹽酸、王水。
硅化鉻薄膜電阻率高,電阻溫度系數(shù)小。
密封于陰涼干燥處。
1.硅粉與鉻粉混合后,于900~1100℃的氫氣中焙燒,冷卻后即可。或者將鉻粉和硅粉的混合物與二氧化硅粉和硅粉的混合物混合均勻,于氫氣流中焙燒,SiO2及Si粉形成的揮發(fā)性SiO同原料中的Na、K逸出,得到CrSi2。
2.鉻與硅粉在真空中或在氫氣保護(hù)下共熔或燒結(jié)可得到Cr3Si(立方晶體)熔點(diǎn)約1710℃,Cr5Si3(四方晶體,熔點(diǎn)約1600℃),CrSi(立方晶體,熔點(diǎn)約1600℃),CrSi2及Cr3Si2。
3.48.1份粒度為1100μm的鉻粉與51.9份粒度為50μm的硅粉混合,另外將3份粒度為10μm的SiO2粉與1.5份硅粉混合。兩種混合物再混勻。1100℃氫氣流中焙燒1h,再在1430℃燒10min,SiO2及Si粉形成的揮發(fā)性SiO同原料中的Na、K一起逸出,得到CrSi2燒結(jié)體,粉細(xì),含Na僅
0.5×10-6,K0.1×10-6。
用作陶瓷材料、高電阻薄膜材料。
危險運(yùn)輸編碼:暫無
危險品標(biāo)志:
有害
安全標(biāo)識:暫無
危險標(biāo)識:暫無
暫無
12018-08-5
共收錄化學(xué)品數(shù)據(jù)
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