結(jié)構(gòu)式
| 物競(jìng)編號(hào) | 14SE |
|---|---|
| 分子式 | CF4 |
| 分子量 | 88.00 |
| 標(biāo)簽 | 四氟甲烷, 四氟甲烷四氟化碳, Tetraflouro methane, 低溫制冷劑, 潤(rùn)滑劑, 紅外檢波管的冷卻劑, 鹵代烴類溶劑, 電子特種氣體原料及中間體 |
CAS號(hào):75-73-0
MDL號(hào):MFCD00000371
EINECS號(hào):200-896-5
RTECS號(hào):FG4920000
BRN號(hào):暫無(wú)
PubChem號(hào):24857807
1.性狀:無(wú)色無(wú)味氣體[1]
2.熔點(diǎn)(℃):-183.6[2]
3.沸點(diǎn)(℃):-127.8[3]
4.相對(duì)密度(水=1):1.96(-184℃)[4]
5.相對(duì)蒸氣密度(空氣=1):3.04[5]
6.飽和蒸氣壓(kPa):13.33(-150.7℃)[6]
7.臨界溫度(℃):-45.5[7]
8.臨界壓力(MPa):3.74[8]
9.辛醇/水分配系數(shù):1.18[9]
10.溶解性:不溶于水,溶于苯和氯仿。[10]
11.臨界密度(g·cm-3):0.626
12.臨界體積(cm3·mol-1):141
13.臨界壓縮因子:0.279
14.van der Waals面積(cm2·mol-1):4.600×109
15.van der Waals體積(cm3·mol-1):27.330
16.Lennard-Jones參數(shù)(A):4.5306
17.Lennard-Jones參數(shù)(K):158.90
18.氣相標(biāo)準(zhǔn)聲稱熱(焓)( kJ·mol-1) :-933.5
19.氣相標(biāo)準(zhǔn)熵(J·mol-1·K-1) :261.40
20.氣相標(biāo)準(zhǔn)生成自由能( kJ·mol-1):-888.8
21.氣相標(biāo)準(zhǔn)熱熔(J·mol-1·K-1):61.05
1.急性毒性 暫無(wú)資料
2.刺激性 暫無(wú)資料
3.其他[11] LCLo:895000ppm(大鼠吸入,15min)
1.生態(tài)毒性 暫無(wú)資料
2.生物降解性 暫無(wú)資料
3.非生物降解性 暫無(wú)資料
4.其他有害作用[12] 溫室氣體,其造成溫室效應(yīng)的作用是二氧化碳的數(shù)千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定,而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。
1、摩爾折射率:7.3
2、摩爾體積(cm3/mol):66.8
3、等張比容(90.2K):105.0
4、表面張力(dyne/cm):6.0
5、介電常數(shù):無(wú)可用
6、偶極距(10-24cm3):無(wú)可用
7、極化率:2.89
1.疏水參數(shù)計(jì)算參考值(XlogP):1.8
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:4
4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0
5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無(wú)
6.拓?fù)浞肿訕O性表面積0
7.重原子數(shù)量:5
8.表面電荷:0
9.復(fù)雜度:19.1
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
15.共價(jià)鍵單元數(shù)量:1
常溫常壓下穩(wěn)定,避免強(qiáng)氧化劑、易燃或可燃物。不燃?xì)怏w,遇高熱后容器內(nèi)壓增大,有開(kāi)裂、爆炸危險(xiǎn)。化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,不燃。常溫下只有液氨-金屬鈉試劑能發(fā)生作用。
儲(chǔ)存注意事項(xiàng)[13] 儲(chǔ)存于陰涼、通風(fēng)的不燃?xì)怏w專用庫(kù)房。遠(yuǎn)離火種、熱源。庫(kù)溫不宜超過(guò)30℃。應(yīng)與易(可)燃物、氧化劑分開(kāi)存放,切忌混儲(chǔ)。儲(chǔ)區(qū)應(yīng)備有泄漏應(yīng)急處理設(shè)備。
1.由碳與氟反應(yīng),或一氧化碳與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),或二氟二氯甲烷與氟化氫反應(yīng),或四氯化碳與氟化銀反應(yīng),或四氯化碳與氟化氫反應(yīng),都能生成四氟化碳。四氯化碳與氟化氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過(guò)冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,最后經(jīng)精餾而得成品。
2.預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤(pán)中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤(pán)放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng),反應(yīng)放熱后,氟開(kāi)始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng),通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼猓狗磻?yīng)繼續(xù)進(jìn)行,生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化后,將其通過(guò)裝有氫氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟化硅,隨后通過(guò)硅膠和五氧化二磷干燥塔得到最終產(chǎn)品。
3.以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中,緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼猓⑼ㄟ^(guò)加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。產(chǎn)品經(jīng)除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾,通過(guò)控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。
1.用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝,也用作激光氣體,用于低溫制冷劑、溶劑、潤(rùn)滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。
2.是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體,四氟甲烷高純氣及四氟甲烷高純氣、高純氧的混合氣,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。
3.用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。[14]
危險(xiǎn)運(yùn)輸編碼:UN 1982 2.2
危險(xiǎn)品標(biāo)志:暫無(wú)
安全標(biāo)識(shí):暫無(wú)
危險(xiǎn)標(biāo)識(shí):暫無(wú)
[1~14]參考書(shū):危險(xiǎn)化學(xué)品安全技術(shù)全書(shū).第一卷/張海峰主編.—2版.北京;化學(xué)工業(yè)出版社,2007.6 ISBN 978-7-122-00165-8
暫無(wú)
共收錄化學(xué)品數(shù)據(jù)
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