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          物競(jìng)編號(hào) 1747
          分子式 C
          分子量 12.01
          標(biāo)簽 半導(dǎo)體材料

          編號(hào)系統(tǒng)

          CAS號(hào):7782-40-3

          MDL號(hào):MFCD00211867

          EINECS號(hào):231-953-2

          RTECS號(hào):HL4158550

          BRN號(hào):暫無(wú)

          PubChem號(hào):暫無(wú)

          物性數(shù)據(jù)

          1.       性狀:粉末

          2.       密度(g/mL at 25°C):3.5

          3.       相對(duì)蒸汽密度(g/mL,空氣=1):未確定

          4.       熔點(diǎn)(oC):未確定

          5.       沸點(diǎn)(oC,常壓):未確定

          6.       沸點(diǎn)(oC,0.1mmHg):未確定

          7.       折射率(n20/D):未確定

          8.       閃點(diǎn)(oC):未確定

          9.       比旋光度(o):未確定

          10.    自燃點(diǎn)或引燃溫度(oC):未確定

          11.    蒸氣壓(mmHg,20oC):未確定

          12.    飽和蒸氣壓(kPa,-164oC):未確定

          13.    燃燒熱(KJ/mol):未確定

          14.    臨界溫度(oC):未確定

          15.    臨界壓力(MPa):未確定

          16.    油水(辛醇/水)分配系數(shù)的對(duì)數(shù)值:未確定

          17.    爆炸上限(%,V/V):未確定

          18.    爆炸下限(%,V/V):未確定

          19.    溶解性:未確定

          毒理學(xué)數(shù)據(jù)

          暫無(wú)

          生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)

          暫無(wú)

          分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)

          暫無(wú)

          計(jì)算化學(xué)數(shù)據(jù)

          1、   疏水參數(shù)計(jì)算參考值(XlogP):-1.1

          2、   氫鍵供體數(shù)量:0

          3、   氫鍵受體數(shù)量:2

          4、   可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0

          5、   互變異構(gòu)體數(shù)量:

          6、   拓?fù)浞肿訕O性表面積(TPSA):34.1

          7、   重原子數(shù)量:2

          8、   表面電荷:0

          9、   復(fù)雜度:0

          10、   同位素原子數(shù)量:0

          11、   確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0

          12、   不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0

          13、   確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0

          14、   不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0

          15、   共價(jià)鍵單元數(shù)量:1

          性質(zhì)與穩(wěn)定性

          金剛石晶體膜是一種人工合成的新型功能材料,它由金剛石微晶體構(gòu)成,具有高硬度、低摩擦、高熱導(dǎo)率(為銅的5倍)、低膨脹系數(shù)、良好抗熱沖擊性能、良好抗腐蝕性、極高電絕緣強(qiáng)度、寬波段高透過(guò)率和高電子折射率等多項(xiàng)復(fù)合性能。

          本品無(wú)毒。

          貯存方法

           產(chǎn)品應(yīng)貯存放在陰涼、通風(fēng)、干燥、清潔、無(wú)化學(xué)藥品腐蝕氣氛的庫(kù)房?jī)?nèi)。

          合成方法

          制備金剛石薄膜常用的方法是氣相沉積法,該方法可分以下3種類(lèi)型。

          (1)熱化學(xué)氣相沉積(TCVD)法 在高溫下使含碳?xì)庀嘟M分發(fā)生熱分解即形成金剛石薄膜。這一方法在早期的制備過(guò)程中是比較成功的方法,目前采用很多的熱絲法(EFCVD)以及對(duì)于沉積速率有著獨(dú)特優(yōu)越性的熱化學(xué)焰法均屬于此類(lèi)。
          (2)物理化學(xué)氣相沉積法 用物理化學(xué)方法促進(jìn)CVD過(guò)程,例如等離子增強(qiáng)CVD(PECVD或PACVD)、微波等離子體CVD(MWCVD)、射頻等離子體CVD(RFPECVD)和直流等離子體CVD(DCPECVD)及電子增強(qiáng)CVD(EACVD)等。
          (3)物理氣相沉積法 即用物理方法(蒸發(fā)、濺射、離子束等)直接從碳源獲取碳原子或碳離子,將含碳?xì)怏w轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)活性碳原子,定向沉積在物體表面并沉積生成一層致密、均勻、光滑的碳碳原子鍵結(jié)構(gòu)的固態(tài)晶體膜。這類(lèi)工藝的關(guān)鍵技術(shù)是利用高能離子在基材表面的微區(qū)內(nèi)形成75000℃和壓強(qiáng)12×109Pa的熱尖峰,其持續(xù)時(shí)間為10-21s,從而促進(jìn)金剛石膜的形成。沉積工藝需在高能態(tài)、高真空條件下,嚴(yán)格控制電磁場(chǎng)能量,精確掌握含碳化合物的原材料配比和濃度,以及反應(yīng)沉積速率。

          用途

          用于金屬、塑料、玻璃等材料表面生成金剛石膜。如半導(dǎo)體及半導(dǎo)體器件熱沉電阻、電絕緣層。

          安全信息

          危險(xiǎn)運(yùn)輸編碼:暫無(wú)

          危險(xiǎn)品標(biāo)志:暫無(wú)

          安全標(biāo)識(shí):暫無(wú)

          危險(xiǎn)標(biāo)識(shí):暫無(wú)

          文獻(xiàn)

          暫無(wú)

          備注

          暫無(wú)

          表征圖譜