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    	          物競編號
    	          174X

    	        
          
    	        
          
    	          分子式
    	          H4Si
    	        
          
    	        
          
    	          分子量
    	          32.12
    	        
          
			    
          
    	          標簽
    	          
                      
                        四氫化硅,
                      
                        甲硅烷,
                      
                        甲矽烷,
                      
                        Silicon tetrahydride,
                      
                        超臨界溶劑,
                      
                        半導體材料,
                      
                        電子特種氣體原料及中間體
                      
                  
    	        
          
    	                
    	    
          
    	
          
    
          
    
          
        
    
          
    
          
    	
          編號系統
          
    	
          CAS號：7803-62-5
          
        
          MDL號：MFCD00011228
          
        
          EINECS號：232-263-4
          
        
          RTECS號：VV1400000
          
        
          BRN號：暫無
          
        
          PubChem號：暫無
          

    	
          物性數據
          
    	
          
    		
          1.       性狀：無色氣體，有大蒜惡心氣味。
          2.       密度（g/mL,25°C）：1.44
          3.       相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：1.1
          4.       熔點（oC）：-185
          5.       沸點（oC,常壓）：-111.9
          6.       沸點（oC,760mmHg）：-112
          7.       蒸發熱（KJ/mol）：12.5
          8.       熔化熱（KJ/mol）：0.67
          9.       生成熱（KJ/mol）：32.6
          10.    比熱容（KJ/(kg·K),25oC）：1.335
          11.    臨界溫度（oC）：-3.5
          12.    臨界壓力（MPa）：4.864
          13.    溶解性：溶于水，幾乎不溶于乙醇、乙醚、苯、氯仿、硅氯仿和四氯化硅。
          
    	
          
    	
          毒理學數據
          
    	
          
    		
          接觸硅烷眼睛會受到刺激，吸入會導致頭痛、惡心、黏膜和呼吸道的刺激。在職業環境里暴露于硅烷的閾值極限的8小時時間權重平均值（TLVTWA）為5×10-6，這已經被美國政府工業衛生學者會議（ACGIH）所確定，并被美國職業安全和健康管理局（OSHA）所采用。使用時應作好防護。
          
    	
          
    	
          生態學數據
          
    	
          
    		暫無
    	
          
    	
          分子結構數據
          
    	
          
    		暫無
    	
          
    	
          計算化學數據
          
    	
          
    		
          1、   疏水參數計算參考值（XlogP）：
          2、   氫鍵供體數量：6
          3、   氫鍵受體數量：6
          4、   可旋轉化學鍵數量：0
          5、   互變異構體數量：
          6、   拓撲分子極性表面積（TPSA）：121
          7、   重原子數量：7
          8、   表面電荷：0
          9、   復雜度：62.7
          10、   同位素原子數量：0
          11、   確定原子立構中心數量：0
          12、   不確定原子立構中心數量：0
          13、   確定化學鍵立構中心數量：0
          14、   不確定化學鍵立構中心數量：0
          15、   共價鍵單元數量：1
          
    	
          
    	
          性質與穩定性
          
    	
          
    		
          避免強氧化劑,強堿，鹵素。標準狀態下氣體密度為1.44g/L，液體的相對密度為0.68(-185℃)。蒸氣壓11mmHg(1mmHg=133.322Pa)(-160℃)、102mmHg(-140℃)、470mmHg(-120℃)。紅外光譜波長2191cm-1、914cm-1。在室溫時為氣體狀態，在儲存過程中，數月之內無顯著分解。因為甲硅烷幾乎不溶于潤滑脂，可以儲存在瓶塞涂有潤滑脂的容器內。
          化學性質：硅烷的化學性質比烷烴活潑得多，極易被氧化。在與空氣接觸時可發生自燃。25℃以下與氮不起作用，室溫下與烴類化合物不起反應。與氧反應異常激烈，即使在-180℃溫度下也會猛烈反應。
          硅烷與氟氯烴類滅火劑會發生激烈反應，所以不能用這類滅火劑滅火。爆炸極限為0.8%～98%。
          
    	
          
    	
          貯存方法
          
    	
          
    		
          1.貯存于干燥、陰涼、通風的庫房內。鋼瓶應該直立固定貯存。
          2.要保護鋼瓶，防止極端溫度和天氣的影響。不可與易燃品、氧化劑共存混運，遠離火源。
           
          
    	
          
    	
          合成方法
          
    	
          
    		
          1.如圖組裝裝置。在反應瓶和加料漏斗里分別裝入1.14g LiAlH4于70mL乙醚中的溶液和2.30mL SiCl4于50mL乙醚中的圖硅烷的制備裝置溶液。在整個合成過程中，把冷浴和指型冷卻管分別保持在-15～-20℃和-78.5℃。將儀器抽空后，乙醚開始回流，此時必須要注意避免過多的驟沸。然后，將靠近反應裝置的U形管接收器冷卻到-95℃(用甲苯凍膏)，其余四個接收器冷卻到-196℃(液氮)。在攪拌下，用15min將SiCl4+乙醚溶液加入到LiAlH4懸浮液中。為了避免乙醚劇烈回流，使甲硅烷連續地以中等速度分出。調節反應器和真空管路之間的玻璃活塞便可以容易地控制反應速度。將SiCl4加完后，繼續攪拌15～20min，以保證反應完全。在此期間，將反應器和真空系統切斷以免乙醚逃逸過多。當甲硅烷從真空系統排凈之后，將空氣通入反應器，拆開真空系統。
          圖XIV-7   硅烷的制備裝置
          從液氮冷卻的接收器中取出分離物(甲硅烷及痕量乙醚)，集中到一起，將-95℃接收器接收的物料放掉(主要為乙醚)。為了除去痕量的乙醚，最好在-130℃的接收器通過5次(用戊烷冷卻)，而收集在-196℃接收器中，純甲硅烷的收率為SiCl4的80%。雜質有氯化氫，此氯化氫，以-160℃接收器來代替-130℃接收器，幾乎可以完全除去。最后殘余的痕量氯化氫，用水或濕的1，2-二甲氧基乙烷處理之后，通過-130℃接收器可以除去。   
          圖Lely電爐
          A—石墨圓筒；B—絕熱區；
          C—石墨棒；D—石墨發熱體；
          E—單晶成長坩堝；F—測溫
          用觀察縫；G—測溫窗
    	
          
    	
          用途
          
    	
          
    		
          1.電子工業用作氮化硅、外延材料等的摻雜源。半導體超純硅原料，是半導體工業中單晶硅、多晶硅外延片以及二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃等化學氣相沉積工藝的硅源，并廣泛用于太陽能電池、硅復印機鼓、光電傳感器、光導纖維及特種玻璃等的生產研制。
          2. 用于電子工業中多晶硅和單晶硅外延淀積、二氧化硅的低溫化學氣相沉積、非晶硅薄膜淀積。
          
    	
          
    	
          安全信息
          
    	
          危險運輸編碼：UN 2203 2.1
          
    	
          危險品標志：易燃 有害 
          
    	
          安全標識：S9 S16 S33 S36/S37/S39 
          
    	
          危險標識：R12 R17 R20 
          
        
          文獻
          
        
          
            暫無
        
          
        
          備注
          
        
          
            暫無
        
          
    	
          表征圖譜