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          物競編號 00B7
          分子式 CdHgTe2
          分子量 568.201
          標簽 半導體材料

          編號系統

          CAS號:29870-72-2

          MDL號:暫無

          EINECS號:249-914-3

          RTECS號:暫無

          BRN號:暫無

          PubChem號:暫無

          物性數據

          暫無

          毒理學數據

          暫無

          生態學數據

          暫無

          分子結構數據

          暫無

          計算化學數據

          暫無

          性質與穩定性

          Hg1-xCdxTe晶體是HgTe-CdTe贗二元系化合物半導體合金材料,是一種直接躍遷型半導體,具有本征載流子濃度低、電子遷移率高、電子與空穴遷移率比大、光吸收系數大、熱激發速率小、電子有效質量小、熱膨脹系數與硅接近等特點。其導電類型可由本身組分的偏離來調節,也可用摻雜的辦法來控制。其禁帶寬度犈g是組分狓和溫度犜的函數,通過調節狓和犜可使犈g從半金屬HgTe(Eg=-0.3eV)至半導體CdTe(Eg=1.648eV)之間連續變化,從而使其覆蓋波長為1~25μm的整個紅外區域。Hg1-xCdxTe的靜電介電常數為14~17,高頻介電常數為10~12.5,且隨組分不同而有所差異。

          貯存方法

          產品應貯存在陰涼、通風、干燥、清潔、無化學藥品腐蝕氣氛的庫房內。

          合成方法

          Hg1-xCdxTe塊狀晶體可用改進的布里奇曼法、固體再結晶法、碲溶劑法或移動加熱法制備,也可用LPE、MBE與MOCVD等外延工藝制備Hg1-xCdxTe薄膜晶體材料。

          用途

          用于制作各種波段的單元、多元、十字型、線列、面陣雙色和多譜等光導型和光伏型探測器,在軍事偵察、制導、預警、飛機和坦克、艦艇上的前視儀和氣象、資源、天文等衛星上,以及光纖通訊中都有廣泛的應用。

          安全信息

          危險運輸編碼:暫無

          危險品標志:暫無

          安全標識:暫無

          危險標識:暫無

          文獻

          None

          備注

          None

          表征圖譜