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          物競編號 010T
          分子式 ThSi2
          分子量 288.21
          標簽 鈧族元素

          編號系統

          CAS號:12067-54-8

          MDL號:暫無

          EINECS號:235-079-2

          RTECS號:暫無

          BRN號:暫無

          PubChem號:暫無

          物性數據

          1.性狀:黑色四方晶體。

          2.密度(g/cm3):7.96 。

          3.溶解度:能溶于熱鹽酸,略溶于硫酸。

          毒理學數據

          暫無

          生態學數據

          暫無

          分子結構數據

          暫無

          計算化學數據

          1.疏水參數計算參考值(XlogP):無

          2.氫鍵供體數量:0

          3.氫鍵受體數量:0

          4.可旋轉化學鍵數量:0

          5.互變異構體數量:無

          6.拓撲分子極性表面積0

          7.重原子數量:3

          8.表面電荷:0

          9.復雜度:18.3

          10.同位素原子數量:0

          11.確定原子立構中心數量:0

          12.不確定原子立構中心數量:0

          13.確定化學鍵立構中心數量:0

          14.不確定化學鍵立構中心數量:0

          15.共價鍵單元數量:1

          性質與穩定性

          暫無

          貯存方法

          暫無

          合成方法

          用Si還原ThO2可得到ThSi2。

          以適當的比例(ThO2與4Si質量比為14.8g∶22.47g)稱取待反應的樣品,用苯潤濕,在一機械動力驅動的瑪瑙研缽中充分混合。此操作十分重要,否則很難維持一個穩定的反應區域。在一特殊的(可拆卸的)塑模中使用20t的水壓將樣品壓制成兩個(5×5×90)mm3的棒,然后使這兩個棒分開,在中心處用線連接固定起來,以避免在安裝或測定操作中發生扭曲。

          兩棒的接觸點置于陰極系統內,開啟加速電壓,一般為3~5kV(具體值要由試驗確定)。增大陰極電流至樣品棒的上半部頂端比下半部稍熱,當電流進一步增大時,反應開始。隨著陰極電流的進一步增大,樣品棒形成一窄的熔融區,生成的氣態一氧化硅因冷凝而不會影響系統的真空度。用機械裝置來控制反應區的加熱,用電子控制器控制電流的穩定性,以建立穩定的反應區,此過程將所給的氧化物轉化為與硅的合金。確定硅合金的組成后,將合金與所需量的硅(市場上可買到的純硅)混合得到所要求的金屬與硅的比例。當加入適當過量的硅則可以得到很接近于所要求的組成,事實上,還原最好在有相當過量硅存在的情況下進行,所得產品就是硅化物和單質硅的混合物,后者可通過溶解在稀的煮沸的氫氧化鈉溶液中而被除去。

          用途

          暫無

          安全信息

          危險運輸編碼:暫無

          危險品標志:暫無

          安全標識:暫無

          危險標識:暫無

          文獻

          None

          備注

          None

          表征圖譜