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    	          物競編號
    	          0934

    	        
          
    	        
          
    	          分子式
    	          GaAs
    	        
          
    	        
          
    	          分子量
    	          144.64
    	        
          
			    
          
    	          標簽
    	          
                      
                        半導體材料
                      
                  
    	        
          
    	                
    	    
          
    	
          
    
          
    
          
        
    
          
    
          
    	
          編號系統
          
    	
          CAS號：1303-00-0
          
        
          MDL號：MFCD00011017
          
        
          EINECS號：215-114-8
          
        
          RTECS號：LW8800000
          
        
          BRN號：暫無
          
        
          PubChem號：24859765
          

    	
          物性數據
          
    	
          
    		
          1.       性狀：立方晶系閃鋅礦型結晶。無氣味。
          2.       密度（g/mL,25℃）：6.307
          3.       相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定
          4.       熔點（oC）：1238
          5.       沸點（oC,常壓）：未確定
          6.       沸點（oC,0.05mmHg）：未確定
          7.       折射率（n20/D）：未確定
          8.       閃點（oC）：未確定
          9.       比旋光度（o）：未確定
          10.    自燃點或引燃溫度（oC）：未確定
          11.    蒸氣壓（mmHg,20oC）：未確定
          12.    飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定
          13.    燃燒熱（KJ/mol）：未確定
          14.    臨界溫度（oC）：未確定
          15.    臨界壓力（KPa）：未確定
          16.    油水（辛醇/水）分配系數的對數值：未確定
          17.    爆炸上限（%,V/V）：未確定
          18.    爆炸下限（%,V/V）：未確定
          19.    溶解性：與水反應
          
    	
          
    	
          毒理學數據
          
    	
          
    		
          1、急性毒性：大鼠引入腹膜LD50：10gm/kg：動作失調
                       小鼠引入腹膜LD50：4700mg/kg
          
    	
          
    	
          生態學數據
          
    	
          
    		
          對水是極其危害的，即使是少量產品滲入地下也會對飲用水造成危害，若無政府許可勿將產品排入周圍環境。對水中有機物有危害
          
    	
          
    	
          分子結構數據
          
    	
          
    		
          1、摩爾折射率：無可用的
          2、摩爾體積（cm3/mol）：無可用的
          3、等張比容（90.2K）：無可用的
          4、表面張力（dyne/cm）：無可用的
          5、介電常數：無可用的
          6、極化率（10-24cm3）：無可用的
          7、單一同位素質量：143.847178 Da
          8、標稱質量：144 Da
          9、平均質量：144.6446 Da
          
    	
          
    	
          計算化學數據
          
    	
          
    		
          1.疏水參數計算參考值（XlogP）:無
          2.氫鍵供體數量:0
          3.氫鍵受體數量:0
          4.可旋轉化學鍵數量:0
          5.互變異構體數量:無
          6.拓撲分子極性表面積0
          7.重原子數量:2
          8.表面電荷:0
          9.復雜度:10
          10.同位素原子數量:0
          11.確定原子立構中心數量:0
          12.不確定原子立構中心數量:0
          13.確定化學鍵立構中心數量:0
          14.不確定化學鍵立構中心數量:0
          15.共價鍵單元數量:1
          
    	
          
    	
          性質與穩定性
          
    	
          
    		
          如果遵照規格使用和儲存則不會分解，未有已知危險反應，避免酸、水分/潮濕.
          為一種化合物型半導體，電流通過p-n結，直接發光，可制成激光或發光二極管。此外，本品還可用作功能元件，用于微波振蕩、毫米波放大、光通訊等方面。
          
    	
          
    	
          貯存方法
          
    	
          
    		
          保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風或排氣裝置
          
    	
          
    	
          合成方法
          
    	
          
    		
          圖XIII-20   砷化鎵的制備裝置
          砷化鎵的制備裝置如圖所示，先往一端封閉的透明石英安瓿中送入裝有純鎵的石英盤，然后加入純砷，在5×10-6Torr(1Torr=133322Pa)下，真空封口。砷的加入量為其當量的1.1～1.2倍(因為砷是利用蒸氣壓控制的，所以加入量必須比充滿整個安瓿還要多一些)。為防止砷化鎵及盤受潮濕，必須向盤里面噴砂大約150～300次。將上述安瓿按圖所示裝好，裝有砷的A爐加熱到610℃，裝有鎵的B爐加熱到1250℃(根據安瓿的大小，可按砷摩爾量的1.1～1.2倍加入之)。
          加熱到610℃的砷的蒸氣壓為101.325kPa，與加熱到1250℃的鎵進行反應，產生砷化鎵。經過4～5h后，將安瓿每1h往A爐拉出5～20mm，則從盤的前端逐漸生長出單晶。
          
    	
          
    	
          用途
          
    	
          
    		用于制造光電器件（ＬＣＤ），激光器（ＬＤ），場效應晶體管（ＦＥＴ），高電子遷移率晶體管（ＨＥＭＴ），異質結雙極晶體管（ＨＢＴ），高速器件和微波單片集成電路（ＭＭＩＣ），微波／毫米波集成電路（ＭＩＭＩＣ），高速集成電路，太陽電池。
          
    	
          
    	
          安全信息
          
    	
          危險運輸編碼：UN 1557 6.1/PG 2
          
    	
          危險品標志：有毒 危害環境 
          
    	
          安全標識：S28 S45 S60 S61 
          
    	
          危險標識：R23/25 R50/53 
          
        
          文獻
          
        
          
            暫無
        
          
        
          備注
          
        
          
            暫無
        
          
    	
          表征圖譜