結構式
| 物競編號 | 094R |
|---|---|
| 分子式 | ln2O3 |
| 分子量 | 277.64 |
| 標簽 | 三氧化二銦, Indium trioxide, 高純度化合物 |
CAS號:1312-43-2
MDL號:MFCD00011060
EINECS號:215-193-9
RTECS號:NL1770000
BRN號:暫無
PubChem號:24852170
1. 性狀:白色或淡黃色無定型粉末,加熱轉變為紅褐色。
2. 密度(g/mL,25℃):7.179
3. 熔點(oC):2000
4. 蒸氣壓(mmHg,25oC):<0.01
5. 溶解性:不溶于水,溶于熱的無機酸
通常來說對水是無害的,若無政府許可,勿將材料排入周圍環境。
1、摩爾折射率:無可用的
2、摩爾體積(cm3/mol):無可用的
3、等張比容(90.2K):無可用的
4、表面張力(dyne/cm):無可用的
5、介電常數:無可用的
6、極化率(10-24cm3):無可用的
7、單一同位素質量:277.7925 Da
8、標稱質量:278 Da
9、平均質量:277.6342 Da
1.疏水參數計算參考值(XlogP):無
2.氫鍵供體數量:0
3.氫鍵受體數量:3
4.可旋轉化學鍵數量:0
5.互變異構體數量:無
6.拓撲分子極性表面積3
7.重原子數量:5
8.表面電荷:0
9.復雜度:0
10.同位素原子數量:0
11.確定原子立構中心數量:0
12.不確定原子立構中心數量:0
13.確定化學鍵立構中心數量:0
14.不確定化學鍵立構中心數量:0
15.共價鍵單元數量:5
在氫氣或其他還原劑存在下,加熱至400~500℃可還原成金屬銦或低價銦的氧化物。
在高溫下分解為低級氧化物。另外,在高溫下可與金屬銦發生如下反應:
1/3 In2O3+4/3 InIn2O
低溫灼燒生成的In2O3雖易溶于酸,但經過高溫處理得越完全就越難溶,吸濕性也消失了。三氧化二銦在赤熱狀態下用氫氣還原時,則生成金屬銦。
保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方,確保工作間有良好的通風或排氣裝置
1.將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成In2O、InO、In2O3,精細控制還原條件可制得高純In2O3。也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。
3.將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時,溫度過高的話,In2O3有熱分解的可能性,若溫度過低則難以完全脫水,而且生成的氧化物具有吸濕性,因此,加熱溫度和時間是重要的因素。另外,因為In2O3容易被還原,所以必須經常保持在氧化氣氛中。
3.將氫氧化銦在空氣中,于850℃灼燒至恒重,生成In2O3,再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。
1.用作光譜純試劑和電子元件的材料等
2.用于金屬反射鏡面的保護涂層、光電顯示半導體薄膜,也用于制造銦鹽、玻璃。
危險運輸編碼:UN 1993 3/PG 2
危險品標志:
刺激
危險標識:R36/37/38
暫無
暫無
共收錄化學品數據
147579 條